引言人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人内空间受限最大的子系统是伺服控制系统。为了实现与人类相似的运动范围，通常在整个机器人中部署大约 40 个伺服电机 (PMSM) 和控制系统。电机分布在机器人身体的不同部位，例如颈部、躯干、手臂、腿、脚趾等。该数字不包括手部的电机。为了模拟人手的自由操作，单只手即可能集成十多个微型电机。这些电机的电源
关键字：
GaN FET 人形机器人
台积电公布了其 A14（1.4 纳米级）制造技术，它承诺将在其 N2 （2 纳米）工艺中提供显着的性能、功率和晶体管密度优势。在周三举行的 2025 年北美技术研讨会上，该公司透露，新节点将依赖其第二代全环绕栅极 （GAA） 纳米片晶体管，并将通过 NanoFlex Pro 技术提供进一步的灵活性。台积电预计 A14 将于 2028 年进入量产，但没有背面供电。计划于 14 年推出具有背面供电功能的 A2029 版本。“A14 是我们的全节点下一代先进芯片技术，”台积电业务发展和全球销售高级副总
关键字：
台积电 1.4nm GAA 晶体管
新兴半导体公司 Rapidus 计划在未来几年大幅扩大其 2nm 研发力度，因为它看到了科技巨头的巨大兴趣。Rapidus 的 2nm 工艺采用 BSPDN 和 GAA 技术，使其成为业内独一无二的实现。半导体供应链长期以来一直被台积电等公司主导，而英特尔和三星代工厂等竞争对手也在努力巩固自己的市场份额，因此还有很长的路要走。不过，据说日本领先的芯片制造公司
Rapidus 已加入尖端节点的竞争，据DigiTimes报道，该公司已经在日本北海道开发了一个专用设施，以尽快进入量产阶段。据称，Rapidu
关键字：
日本半导体 Rapidus 2nm工艺 量产 BSPDN GAA
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。本文为第一篇，将重点介绍Cascode结构。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅
关键字：
cascode FET SiC
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。Nexperia
关键字：
Nexperia GaN FET
本期，我们将聚焦于缓冲反激式转换器，探讨如何在反激式转换器中缓冲 FET 关断电压为大家提供全新的解决思路！上一期，我们介绍了如何在正向转换器导通时缓冲输出整流器的电压。现在，我们看一下如何在反激式转换器中缓冲 FET 关断电压。图 1 显示了反激式转换器功率级和初级 MOSFET 电压波形。该转换器的工作原理是将能量存储在变压器的初级电感中，并在 MOSFET 关断时将能量释放到次级电感。图 1. 漏电感会在 FET 关断时产生过高电压当 MOSFET 关断时，通常需要一个缓冲器，因为变压器的漏电感会导
关键字：
FET 反激式转换器
电力电子设备中使用的半导体材料正从硅过渡到宽禁带（WBG）半导体，比如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等半导体在更高功率水平下具有卓越的性能，被广泛应用于汽车和工业领域中。由于工作电压高，SiC技术正被应用于电动汽车动力系统，而GaN则主要用作笔记本电脑、移动设备和其他消费设备的快速充电器。本文主要说明的是，但双脉冲测试也可应用于硅器件、MOSFET或IGBT中。为确保这些设备的可靠性，双脉冲测试（DPT）已发展成为一种行业标准技术，用于测量开启、关闭和反向恢复期的一系列重要参数。双脉冲测试系统包括示波
关键字：
202411 宽禁带 FET 测试
三星最新推出的Galaxy Watch 7，继续重新定义可穿戴技术的极限。这款最新型号承袭了其前身产品的成功之处，同时在性能、健康追踪和用户体验方面实现了重大突破。TechInsights在位于渥太华和华沙的实验室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在对其进行拆解和详细的技术分析。敬请期待我们对Galaxy Watch 7内部结构的深入分析，我们将揭示这款设备在智能手表领域脱颖而出的原因。 Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000处理器。这款最新的Exyn
关键字：
三星 Galaxy Watch 7 Exynos W1000 处理器 3nm GAA
碳化硅场效应晶体管(SiC FET)接近于理想的开关，具有低损耗、宽带隙技术和易于集成设计等优势。Qorvo的SiC FET技术如今以高效模块化产品的形式呈现;本文探讨了这种产品形态如何使SiC FET成为太阳能逆变器应用的理想之选。
关键字：
202407 太阳能 PV SiC FET 宽带隙 碳化硅 光伏
美中贸易战冲突未歇，传出美国将再次出手打击大陆半导体产业，针对最新的环绕闸极场效晶体管（GAA）技术祭出限制措施，限制其获取人工智能（AI）芯片技术的能力，换言之，美国将防堵大陆取得先进芯片，扩大受管制的范围。 美国财经媒体引述知情人士消息报导，拜登政府考虑新一波的半导体限制措施，以避免大陆能够提升技术，进而增强军事能力，有可能限制大陆取得GAA技术，但确切状况仍得等官方进一步说明，且不清楚官员何时会宣布新措施。若此事成真，大陆发展先进半导体将大受打击。目前三星从3纳米开始使用GAA技术，台积电则从2纳米
关键字：
GAA 台积电 三星
D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效，从而可实现全定制、高性能的电路设计。宜普电源转换公司(EPC)宣布近日推出EPC9192参考设计，可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器，于接地参考、分离式双电源单端 (SE)设计中发挥200 V eGaN FET器件(EPC2307)的优势，在4Ω负载时，每声道输出功率达700 W。EPC9192是可扩展的模块化设计，其主板配有两个PWM调制器和两个半桥功率级子板，实现具备辅助管理电源和保护功能的双通道放大器。这种设计的灵活性高，使
关键字：
GaN FET D类音频放大器
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易，因为它很容易发生振荡，并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度，这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cas
关键字：
氮化镓 FET
全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐热QFN封装，顶部裸露，封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。凭借超低导通电阻
关键字：
EPC 1mΩ 导通电阻 GaN FET
激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中，大多都有人类参与其中，因此人们担心 LiDAR 激光可能会对眼睛造成伤害。为防止此类伤害，汽车 LiDAR 系统必须符合 IEC 60825-1 1 类安全要求，同时发射功率不超过 200 W。通用解决方案一般采用 1 至 2 ns 脉冲，重复频率为 1 至 2 MHz。这很有挑战性，因为需要使用微控制器或其他大型数字集成电路 (IC) 来控制激光二极管，但又不能直接驱动它，这样就必须增加一个栅极
关键字：
自主驾驶 LiDAR GaN FET
最新报道，三星的3nm GAA生产工艺存在问题，原计划搭载于Galaxy S25/S25+手机的Exynos 2500芯片在生产过程中被发现存在严重缺陷，导致良品率直接跌至0%。报道详细指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工艺下的生产质量问题，未能通过三星内部的质量检测。这不仅影响了Galaxy S25系列手机的生产计划，还导致原定于后续推出的Galaxy Watch 7的芯片组也无法如期进入量产阶段。值得关注的是，Exynos 2500原计划沿用上一代的10核CPU架构，升级之处在于将采用全新的
关键字：
三星 Exynos 芯片 3nm GAA
gaa fet介绍
您好，目前还没有人创建词条gaa fet!
欢迎您创建该词条，阐述对gaa fet的理解，并与今后在此搜索gaa fet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473